由本校電子所賴朝松教授與研究生楊家銘、呂增富及王泰權 ，於 IEDMS 2006大會提出論文“The Multi-Channel Measurements for pH-Sensitivity and Drift Coefficient of Thin Hafnium Oxide with CF4 Plasma Treatment”，榮獲傑出論文獎。

　　本研究是針對化學感測元件，突破國際製程限制，利用以 HfO₂ 為感測膜，直接疊在 Silicon 基板的結構，經過 CF₄ Plasma 處理，調變不同 CF₄ Plasma 處理時間，進行感測度 ( sensitivity ) 及時漂 ( drift ) 現象探討。為進一步探討時漂現象，自行研發自動化多通道的量測程式，同時對量測系統進行整合，達成自動化及長時間監控量測之多重功能。

　　現階段國際上有關離子感測薄膜結構，皆屬於兩層堆疊，本論文首度直接以 HfO₂ 感測膜沉積在 Silicon 基板上，並且加上電漿處理以改善特性。實驗結果證實，沒有經過 CF₄ Plasma 處理，感測度及穩定度較差，其感測度僅有 46.27 mV／pH，再經過五分鐘 CF₄ Plasma 處理後，其感測度可提升至 49.52 mV／pH之理想值，此特性已經達到目前市面上 pH meter 產品規格之要求。展望未來，本論文之研究成果將可應用於血液離子、血糖等感測技術，為人類健康把脈跟出另一里程。

　　註：詳細論文下載